商业编辑/技术撰稿人

美国商业资讯2008年3月31日爱达荷州博伊西消息——

    美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.，纽约证券交易所：MU）今天宣布，推出4GB DDR3内存模块试用产品。该产品采用2Gb组件，提供业界密度最高的笔记本电脑DDR3内存模块。随着大量使用图形的操作系统和其他处理海量内容的应用程序在市场不断发展，高密度内存模块对笔记本电脑的重要性越来越高。美光DDR3模块产品组合涵盖了从512MB到现在的4GB的各种密度规格，这些模块速度快、密度高、功率低，可使上述系统和应用程序更有效地运行，并提高电源效率。
 
    美光公司内存事业部副总裁Brian Shirley说：“我们新推出4GB DDR3模块，让用户轻松把握更大容量的内存带来的性能优势。”

    美光公司还宣布，其512MB、1GB和2GB DDR3笔记本内存模块已通过英特尔公司的验证，可用于即将推出的Intel® Centrino® 2处理器技术移动平台。美光的4GB DDR3笔记本内存模块目前正在接受英特尔公司的验证。如需查阅已获英特尔芯片平台验证的完整产品列表，了解这些产品的详细情况，请访问：www.micron.com/ddr3sodimm。

    英特尔公司行业计划与业务渠道拓展总监Ali Sarabi说：“美光公司正在开发的DDR3内存产品将在2008年为英特尔的高性能桌面、工作站、服务器和移动平台提供支持。DDR3架构和DDR3产品对于英特尔的领先产品路线图至关重要。”

    美光公司的DDR3内存模块支持的数据速率最高可达每秒1333兆位，系统和图形的性能都会因此得到改善，可为用户带来互动性更强的使用体验。DDR3的电源电压为1.5伏特，相比DDR2的1.8伏特电源电压，功耗最多可降低30%。

    Shirley又说：“使用大容量内存的笔记本电脑越来越多，因此，为了延长电池寿命，并让系统持续运转，降低功耗变得越来越重要。”

产品上市情况

    美光的512MB、1GB和2GB内存模块现已投入量产，基于2Gb组件的DDR3 4GB内存模块预计于2008年第二季度投入量产。

关于美光公司

    美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高级半导体解决方案的全球领先供应商之一。通过全球化的运营，美光公司制造并向市场推出DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块，用于前沿计算、消费品、网络和移动便携产品。美光公司普通股代码为MU，在纽约证券交易所交易（NYSE）。如需了解美光科技有限公司的详细情况，请访问：www.micron.com。

    Micron（美光）、美光环绕标志是美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）的商标。所有其他商标属其各自所有人财产。

    本新闻稿包含有关美光公司4GB内存模块的生产的前瞻性陈述。实际情况或结果可能与这些前瞻性陈述所含内容产生显著差异。请参考美光公司在并表基础上不时向美国证券交易委员会呈报的文件，特别是公司最新的10-K表和10-Q表。这些文件含有并明确了可能导致公司在并表基础上的实际业绩与我们的前瞻性陈述中所含内容产生重大差异的重要因素（参见“已知因素”<Certain Factors>章节）。尽管我们认为前瞻性陈述中反映的期望是合理的，但我们不能对未来业绩、活动水平、表现或成绩做出保证。本新闻发布日期之后，我们不会为了使前瞻性陈述符合实际结果，而承担更新任何前瞻性陈述的责任。